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商品名稱(chēng):碳化硅 MOSFET 單管
品牌:IXYS
年份:25+
封裝:TO-263-7L
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IXSA80N120L2-7是一款工業(yè)級(jí)、單開(kāi)關(guān)SiC MOSFET,具有低損耗、快速切換的特性,適用于高速度工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源供應(yīng)。
主要特性
低導(dǎo)通損耗?:IXSA80N120L2-7的導(dǎo)通損耗非常低,具體為30m?。
低柵極驅(qū)動(dòng)功率要求?:柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-3/+15到18V。
低熱管理需求?:該MOSFET的熱管理需求低,適合在各種工業(yè)應(yīng)用中使用。
快速切換?:具有高速切換特性,適用于需要快速響應(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)景。
高阻斷電壓?:能夠承受1200V的高電壓。
低輸入電容?:輸入電容Ciss為3000pF,有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。
高結(jié)溫?:最大虛擬結(jié)溫為175°C,適合在高溫環(huán)境下使用。
IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET適用于以下領(lǐng)域:
太陽(yáng)能逆變器?
開(kāi)關(guān)模式電源供應(yīng)?
不間斷電源(UPS)?
電機(jī)驅(qū)動(dòng)?
DC/DC轉(zhuǎn)換器?
電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施?
感應(yīng)加熱
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC? 汽車(chē)級(jí) MOSFET 750 V G2,采用 Q-DPAK 頂部冷卻封裝,16 mΩ
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC? 汽車(chē)級(jí) MOSFET 750 V G2,采用 Q-DPAK 頂部冷卻封裝,25 mΩ
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
CoolSiC? 汽車(chē)級(jí) MOSFET 750 V G2,采用 Q-DPAK 頂部冷卻封裝,60 mΩ
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國(guó)硅谷,1983年成立,主營(yíng):MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車(chē)、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
IXFH150N20T
IXFH150N20T是200V 150A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管。IXFH150N20T規(guī)格參數(shù)FET類(lèi)型:N溝道工藝:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):200 V持續(xù)漏極電流(Id) @ 25C:150A (Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大導(dǎo)通電阻, 最小導(dǎo)通電阻):10V導(dǎo)通電阻(最大) @ Id, Vgs:15mΩ @ 75A, 10V閾值…IXFH150N17T2
IXFH150N17T2是175V 150A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管。IXFH150N17T2規(guī)格參數(shù)FET類(lèi)型:N溝道工藝:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):175 V連續(xù)漏極電流(Id) @ 25C:150A (Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大導(dǎo)通電阻,最小導(dǎo)通電阻):10V導(dǎo)通電阻(Rds On)(最大值) @ Id, Vgs:12毫歐 @…IXFP14N85XM
IXFP14N85XM 是一款高性能 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,屬于 Ultra-Junction X-Class 系列。IXYP50N65C3
IXYP50N65C3:650V,用于 20-60kHz 開(kāi)關(guān)的極光穿透 IGBT晶體管,TO-220-3IXYP50N65C3 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類(lèi): 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù): Si 封裝 / 箱體: TO-220-3安裝風(fēng)格: Through Hole 配置: Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V 集電極—射極飽和電壓: 2.1 …IXYH80N90C3
IXYH80N90C3:900V,165A,用于 20-50 kHz 開(kāi)關(guān)的高速 IGBT晶體管,TO-247-3產(chǎn)品詳情:型號(hào):IXYH80N90C3封裝:TO-247-3類(lèi)型:IGBT 晶體管IXYH80N90C3 產(chǎn)品屬性:系列:GenX3?, XPT?電壓 - 集射極擊穿(最大值):900 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):165 A電流 - 集電…IXTA26P20P
IXTA26P20P 采用 Littelfuse 專(zhuān)利 Polar? 工藝制造,P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,TO-263(DPak-3L)表面貼裝封裝電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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