IXFH150N20T是200V 150A N溝道增強型功率MOSFET晶體管。
IXFH150N20T規(guī)格參數
FET類型：N溝道
工藝：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓(Vdss)：200 V
持續(xù)漏極電流(Id) @ 25°C：150A (Tc)
驅動電壓(最大導通電阻, 最小導通電阻)：10V
導通電阻(最大) @ Id, Vgs：15mΩ @ 75A, 10V
閾值電壓(最大) @ Id：5V @ 4mA
柵極電荷(Qg)(最大值) @ Vgs:177 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
輸入電容(Ciss)(最大值) @ Vds:11700 pF @ 25 V
功耗（最大）：890W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
IXFH150N20T特性
國際標準封裝
雪崩耐受
高電流處理能力
快速內置整流器
低導通電阻
IXFH150N20T優(yōu)勢
易于安裝
節(jié)省空間
高功率密度
IXFH150N20T應用
DC-DC轉換器
電池充電器
開關模式與諧振模式電源
直流斬波器
交流電機驅動器
不間斷電源
高速功率開關應用
型號
品牌
封裝
數量
描述
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