商品名稱:FS650R08A4P2
數(shù)據(jù)手冊(cè):FS650R08A4P2.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FS650R08A4P2 750V HybridPACK?驅(qū)動(dòng)模塊是一個(gè)超緊湊電源模塊,優(yōu)化用于混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車主逆變器應(yīng)用 (xEV)。HybridPACK驅(qū)動(dòng)器配有機(jī)械導(dǎo)向元件,支持簡單的組裝過程。此外,信號(hào)端子的壓配引腳可避免耗時(shí)的選擇性焊接工藝,從而在系統(tǒng)層面上節(jié)省成本,提高系統(tǒng)可靠性。
引線型FS820R08A6P2B (820 A/750 V) 是一款六單元模塊,優(yōu)化用于150kW逆變器。該電源模塊采用EDT2 IGBT芯片生成技術(shù),這是一款汽車Micro-Pattern Trench-Field-Stop電池設(shè)計(jì)。該芯片組具有基準(zhǔn)電流密度,還有卓越的短路耐受性以及增強(qiáng)的電壓阻斷性能,可確保逆變器在惡劣的環(huán)境條件下仍能可靠運(yùn)行。EDT2 IGBT還具有出色的輕負(fù)載功率損耗,有助于顯著提高系統(tǒng)在實(shí)際周期內(nèi)的效率。該芯片組優(yōu)化用于10kHz范圍內(nèi)的開關(guān)頻率。
特性
基準(zhǔn)電流密度和改進(jìn)輕負(fù)載功率損耗,增加電動(dòng)汽車?yán)锍?/p>
750V EDT2 IGBT和二極管芯片組,用于高達(dá)Tvj=175°C開關(guān)操作
極低導(dǎo)通損耗
單位數(shù)雜散電感以及平順、高效的開關(guān)特性
短路耐受性高達(dá)Tvj=175°C,可在極端條件下保證逆變器可靠運(yùn)行
壓配信號(hào)引腳
機(jī)械導(dǎo)向元件,用于高效、低成本逆變器組件
應(yīng)用
汽車應(yīng)用
混合動(dòng)力和電池電動(dòng)汽車
商用、建筑和農(nóng)用車輛
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPA65R660CFD
IPA65R660CFD是英飛凌的 N 溝道 MOSFET,屬于 CoolMOS CFD 系列。BTS5200-4EKA
BTS5200-4EKA是一款200 m?四通道智能高側(cè)開關(guān),采用PG-DSO-14-48-EP裸焊盤封裝,具備保護(hù)功能與診斷機(jī)制。BTS5200-4EKA功率晶體管采用帶電荷泵的N溝道垂直功率MOSFET構(gòu)造。該器件基于Smart6技術(shù)集成,專為在惡劣汽車環(huán)境中驅(qū)動(dòng)R5W級(jí)燈泡及LED而設(shè)計(jì)。BTS5200-4EKA規(guī)格參…IRFP260NPBF
IRFP260NPBF是采用 TO-247 封裝的 200V 單 N 溝道功率 MOSFET。2ED4820-EM
2ED4820-EM是一款智能高側(cè)N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,配備2個(gè)SPI控制輸出。它支持外部MOSFET的連續(xù)工作,并可擴(kuò)展至高電流應(yīng)用。該驅(qū)動(dòng)器支持背靠背MOSFET配置,并提供帶監(jiān)控輸出的電流測(cè)量功能。內(nèi)置MOSFET故障檢測(cè)、負(fù)載保護(hù)及電源保護(hù)機(jī)制。參數(shù)可通過SPI進(jìn)行調(diào)整,并支持…2EDN7524R
2EDN7524R柵極驅(qū)動(dòng)器支持低電壓TTL和3.3V CMOS信號(hào),具備寬電壓范圍(+20V至-10VDC)以防止接地抖動(dòng)。每個(gè)輸出通道均可提供5A源/吸電流,采用軌到軌級(jí)設(shè)計(jì)且阻抗極低。1ns延遲匹配特性允許通過并聯(lián)通道實(shí)現(xiàn)電流倍增至10A。2EDN7524R特性5A峰值源/吸電流5ns(典型值)上升…電話咨詢:86-755-83294757
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