商品名稱：IXA33IF1200HB
品牌：IXYS
年份：24+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IXA33IF1200HB 高速 IGBT 是高速、高增益 1200V 絕緣柵雙極晶體管產(chǎn)品。1200V XPT 高速 IGBT 具有較高的額定電流（105A 至 160A，Tc = 25°C），并針對需要高達(dá) 50kHz 硬開關(guān)頻率的高壓應(yīng)用中降低開關(guān)損耗進(jìn)行了專門優(yōu)化。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型：PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：58 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，25A
功率 - 最大值：250 W
開關(guān)能量：2.5mJ（開），3mJ（關(guān)）
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷：76 nC
測試條件：600V，25A，39 歐姆，15V
反向恢復(fù)時間 (trr)：350 ns
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-247AD
應(yīng)用
● 高頻逆變器
● 不間斷電源
● 電機(jī)驅(qū)動器
● SMPS
● PFC 電路
● 電池充電器
● 焊接機(jī)
● 燈鎮(zhèn)流器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域，產(chǎn)品技術(shù)特點為高壓、高功率，涵蓋了…
IXFH150N20T
IXFH150N20T是200V 150A N溝道增強型功率MOSFET晶體管。IXFH150N20T規(guī)格參數(shù)FET類型：N溝道工藝：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓(Vdss)：200 V持續(xù)漏極電流(Id) @ 25C：150A (Tc)驅(qū)動電壓(最大導(dǎo)通電阻, 最小導(dǎo)通電阻)：10V導(dǎo)通電阻(最大) @ Id, Vgs：15mΩ @ 75A, 10V閾值…
IXFH150N17T2
IXFH150N17T2是175V 150A N溝道增強型功率MOSFET晶體管。IXFH150N17T2規(guī)格參數(shù)FET類型：N溝道工藝：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓(Vdss)：175 V連續(xù)漏極電流(Id) @ 25C：150A (Tc)驅(qū)動電壓(最大導(dǎo)通電阻，最小導(dǎo)通電阻)：10V導(dǎo)通電阻(Rds On)(最大值) @ Id, Vgs:12毫歐 @…
IXFP14N85XM
IXFP14N85XM 是一款高性能 N 溝道增強型功率 MOSFET，屬于 Ultra-Junction X-Class 系列。
IXYP50N65C3
IXYP50N65C3：650V，用于 20-60kHz 開關(guān)的極光穿透 IGBT晶體管，TO-220-3IXYP50N65C3 規(guī)格參數(shù)：產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù): Si 封裝 / 箱體: TO-220-3安裝風(fēng)格: Through Hole 配置: Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V 集電極—射極飽和電壓: 2.1 …
IXYH80N90C3
IXYH80N90C3：900V，165A，用于 20-50 kHz 開關(guān)的高速 IGBT晶體管，TO-247-3產(chǎn)品詳情：型號：IXYH80N90C3封裝：TO-247-3類型：IGBT 晶體管IXYH80N90C3 產(chǎn)品屬性：系列：GenX3?, XPT?電壓 - 集射極擊穿（最大值）：900 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：165 A電流 - 集電…
IXTA26P20P
IXTA26P20P 采用 Littelfuse 專利 Polar? 工藝制造，P 溝道增強型功率 MOSFET，TO-263（DPak-3L）表面貼裝封裝電話咨詢：86-755-83294757
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