商品名稱:IXYK140N90C3
品牌:IXYS
年份:24+
封裝:TO-264-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IXYK140N90C3針對(duì)低開關(guān)損耗進(jìn)行了優(yōu)化,方形 RBSOA,國際標(biāo)準(zhǔn)封裝,正熱系數(shù)。具有高電流處理能力,高功率密度,低柵極驅(qū)動(dòng)要求。
產(chǎn)品屬性
電壓 - 集射極擊穿(最大值):900 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):310 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):840 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,140A
功率 - 最大值:1630 W
開關(guān)能量:4.3mJ(開),4mJ(關(guān))
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:330 nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:40ns/145ns
測(cè)試條件:450V,100A,1 歐姆,15V
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA
供應(yīng)商器件封裝:TO-264(IXYK)
應(yīng)用
● 高頻電源逆變器
● 不間斷電源
● 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
● SMPS
● PFC 電路
● 電池充電器
● 電焊機(jī)
● 燈鎮(zhèn)流器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
IXFH150N20T
IXFH150N20T是200V 150A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管。IXFH150N20T規(guī)格參數(shù)FET類型:N溝道工藝:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):200 V持續(xù)漏極電流(Id) @ 25C:150A (Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大導(dǎo)通電阻, 最小導(dǎo)通電阻):10V導(dǎo)通電阻(最大) @ Id, Vgs:15mΩ @ 75A, 10V閾值…IXFH150N17T2
IXFH150N17T2是175V 150A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管。IXFH150N17T2規(guī)格參數(shù)FET類型:N溝道工藝:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):175 V連續(xù)漏極電流(Id) @ 25C:150A (Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大導(dǎo)通電阻,最小導(dǎo)通電阻):10V導(dǎo)通電阻(Rds On)(最大值) @ Id, Vgs:12毫歐 @…IXFP14N85XM
IXFP14N85XM 是一款高性能 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,屬于 Ultra-Junction X-Class 系列。IXYP50N65C3
IXYP50N65C3:650V,用于 20-60kHz 開關(guān)的極光穿透 IGBT晶體管,TO-220-3IXYP50N65C3 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù): Si 封裝 / 箱體: TO-220-3安裝風(fēng)格: Through Hole 配置: Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V 集電極—射極飽和電壓: 2.1 …IXYH80N90C3
IXYH80N90C3:900V,165A,用于 20-50 kHz 開關(guān)的高速 IGBT晶體管,TO-247-3產(chǎn)品詳情:型號(hào):IXYH80N90C3封裝:TO-247-3類型:IGBT 晶體管IXYH80N90C3 產(chǎn)品屬性:系列:GenX3?, XPT?電壓 - 集射極擊穿(最大值):900 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):165 A電流 - 集電…IXTA26P20P
IXTA26P20P 采用 Littelfuse 專利 Polar? 工藝制造,P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,TO-263(DPak-3L)表面貼裝封裝電話咨詢:86-755-83294757
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