商品名稱:NOR 閃存
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:TSOP-56
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
S29GL064S80TFIV63是一款采用65納米MIRRORBIT?技術制造的3.0伏單電源閃存。該器件容量為64兆位,組織結構為4,194,304字或8,388,608字節(jié)。根據(jù)型號不同,該器件僅具備16位數(shù)據(jù)總線,或通過BYTE#輸入可切換為8位數(shù)據(jù)總線模式??赏ㄟ^主機系統(tǒng)或標準EPROM編程器進行編程。
S29GL064S80TFIV63特性
CMOS 3.0V核心架構,配備多功能I/O接口
單電源供電模式
采用65納米MIRRORBIT?工藝制造
安全硅區(qū)設計
出廠預編程鎖定或用戶自定義編程
靈活分區(qū)架構
64Mb(統(tǒng)一分區(qū)型號):128個32K字(64KB)分區(qū)
64Mb(引導分區(qū)型號):127個32K字(64KB)分區(qū) + 8個4K字(8KB)引導分區(qū)
自動錯誤檢查與糾錯(ECC)——內(nèi)置硬件ECC支持單比特錯誤糾正
增強型多功能I/O控制
兼容JEDEC標準
提供單電源閃存引腳布局與軟件兼容性,具備卓越的誤寫保護功能
每扇區(qū)最低100,000次擦寫循環(huán)
典型數(shù)據(jù)保留期20年
性能特征
高性能
70納秒訪問時間
8字/16字節(jié)頁面讀取緩沖區(qū)
15納秒頁面讀取時間
128字/256字節(jié)寫入緩沖區(qū),可縮短多字更新的整體編程時間
低功耗
5MHz典型初始讀取電流25mA
33MHz典型頁面讀取電流7.5mA
典型擦除/編程電流:50 mA
典型待機模式電流:40 μA
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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