商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:ON
年份:25+
封裝:WDFN-9
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench? MOSFET設(shè)計(jì)用于處理大電流,這對(duì)于直流-直流電源轉(zhuǎn)換級(jí)至關(guān)重要。這款40V、207A、單N溝道功率MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻、更高的功率密度以及出色的散熱性能。該屏蔽柵極溝槽設(shè)計(jì)具有超低柵極電荷和1.3mΩ RDS(on) 。緊湊型3.3mmx3.3mm下源雙冷第二代封裝無鉛、無鹵、無BFR,符合RoHS指令。該NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench MOSFET設(shè)計(jì)用于為數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用提供高效解決方案。
主要規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):207A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.3 毫歐 @ 24A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.2V @ 120μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):28 nC @ 6 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3480 pF @ 20 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):107W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝:9-WDFN(3.3x3.3)
應(yīng)用領(lǐng)域
NTTFSSCH1D3N04XL主要用于人工智能數(shù)據(jù)中心的直流-直流轉(zhuǎn)換器 (DC/DC),支持多級(jí)電壓轉(zhuǎn)換方案中的大電流處理。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-TSDSON-8
5000
OptiMOS? 6 40V 功率MOSFET,融合業(yè)界領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻與卓越的開關(guān)性能
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