商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO220-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:4000 件
IPA80R1K4P7是英飛凌 800V CoolMOS? P7系列超結(jié)MOSFET,采用TO-220-3F封裝,專為低功率開關(guān)電源(SMPS)應(yīng)用優(yōu)化,如適配器、充電器、LED驅(qū)動器和工業(yè)電源。該器件基于先進(jìn)的超級結(jié)技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)效率和出色的熱性能,可顯著提升系統(tǒng)能效和功率密度。
IPA80R1K4P7特點(diǎn)
?業(yè)界領(lǐng)先的FOMRDS(on)*Eoss;降低Qg、Ciss和Coss
?業(yè)界領(lǐng)先的DPAKRDS(on)
?業(yè)界領(lǐng)先的V(GS)th為3V,且V(GS)th變化范圍最小為±0.5V
?集成齊納二極管ESD保護(hù)
?完全符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn),適用于工業(yè)應(yīng)用
?完全優(yōu)化的產(chǎn)品組合
IPA80R1K4P7優(yōu)勢
?最佳性能
?支持更高功率密度設(shè)計(jì),降低BOM成本和組裝成本
?易于驅(qū)動和并聯(lián)
?降低ESD相關(guān)故障,提高生產(chǎn)良率
?通過減少ESD相關(guān)故障提升生產(chǎn)良率
?減少生產(chǎn)問題并降低現(xiàn)場返修率
?便于選擇合適器件以精細(xì)調(diào)整設(shè)計(jì)
IPA80R1K4P7潛在應(yīng)用
?適用于LED照明、低功耗充電器和適配器、音頻、輔助電源及工業(yè)電源的硬開關(guān)和軟開關(guān)反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。也適用于消費(fèi)類應(yīng)用和太陽能中的PFC階段。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-TSDSON-8
5000
OptiMOS? 6 40V 功率MOSFET,融合業(yè)界領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻與卓越的開關(guān)性能
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計(jì)算能…IPA65R660CFD
IPA65R660CFD是英飛凌的 N 溝道 MOSFET,屬于 CoolMOS CFD 系列。BTS5200-4EKA
BTS5200-4EKA是一款200 m?四通道智能高側(cè)開關(guān),采用PG-DSO-14-48-EP裸焊盤封裝,具備保護(hù)功能與診斷機(jī)制。BTS5200-4EKA功率晶體管采用帶電荷泵的N溝道垂直功率MOSFET構(gòu)造。該器件基于Smart6技術(shù)集成,專為在惡劣汽車環(huán)境中驅(qū)動R5W級燈泡及LED而設(shè)計(jì)。BTS5200-4EKA規(guī)格參…IRFP260NPBF
IRFP260NPBF是采用 TO-247 封裝的 200V 單 N 溝道功率 MOSFET。2ED4820-EM
2ED4820-EM是一款智能高側(cè)N溝道MOSFET柵極驅(qū)動器,配備2個SPI控制輸出。它支持外部MOSFET的連續(xù)工作,并可擴(kuò)展至高電流應(yīng)用。該驅(qū)動器支持背靠背MOSFET配置,并提供帶監(jiān)控輸出的電流測量功能。內(nèi)置MOSFET故障檢測、負(fù)載保護(hù)及電源保護(hù)機(jī)制。參數(shù)可通過SPI進(jìn)行調(diào)整,并支持…2EDN7524R
2EDN7524R柵極驅(qū)動器支持低電壓TTL和3.3V CMOS信號,具備寬電壓范圍(+20V至-10VDC)以防止接地抖動。每個輸出通道均可提供5A源/吸電流,采用軌到軌級設(shè)計(jì)且阻抗極低。1ns延遲匹配特性允許通過并聯(lián)通道實(shí)現(xiàn)電流倍增至10A。2EDN7524R特性5A峰值源/吸電流5ns(典型值)上升…電話咨詢:86-755-83294757
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