商品名稱:N 溝道 MOSFET
品牌:ST
年份:22+
封裝:PowerFLAT 5x6
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1500 件
STL220N6F7是意法半導(dǎo)體的N溝道功率MOSFET,屬于STripFET? F7系列,采用PowerFLAT?(5×6mm)封裝,具有超低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和高電流承載能力,適用于新能源汽車、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、服務(wù)器電源、光伏逆變器等高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景。
STL220N6F7 特點(diǎn)
超低導(dǎo)通電阻:1.2mΩ(典型值),大幅降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率。
高電流承載能力:260A(連續(xù)漏極電流,Tc=25°C),適用于大功率開關(guān)應(yīng)用。
高速開關(guān)性能:柵極電荷(Qg)僅98nC,支持500kHz以上開關(guān)頻率,減少開關(guān)損耗。
高可靠性:雪崩能量耐受900mJ,增強(qiáng)系統(tǒng)魯棒性,適用于嚴(yán)苛環(huán)境。
動(dòng)態(tài)特性優(yōu)化:反向傳輸電容(Crss)僅230pF,降低EMI輻射30dB以上。
低熱阻設(shè)計(jì):結(jié)殼熱阻(Rthj-case)僅0.8°C/W,提升散熱效率。
增強(qiáng)保護(hù)機(jī)制:過流、過溫、短路保護(hù),提高系統(tǒng)安全性。
封裝優(yōu)化:5×6mm PowerFLAT?封裝,支持高功率密度設(shè)計(jì)。
銀燒結(jié)工藝,降低熱阻至傳統(tǒng)焊接工藝的1/3。
STL220N6F7 產(chǎn)品參數(shù)
漏源電壓(Vdss):60V
連續(xù)漏極電流(Id):120A(允許工作溫度范圍為 0℃至 150℃)
最大功率耗散(Pd):188W
典型導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(10V,20A 時(shí))
最大導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.4mΩ(10V,20A 時(shí))
閾值電壓(Vgs(th) :最大 4V(250μA 時(shí))
熱特性:結(jié)溫范圍為 -55℃至 175℃,25°C 時(shí)的熱阻(RthJC)為 0.5°C/W
柵極電荷(Qg):最大 98nC(10V 時(shí))
輸入電容(Ciss):最大 6600pF(25V 時(shí))
反向傳輸電容(Crss):230pF(25V 時(shí))
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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