1ED2127S65F是一款650V高壓側(cè)柵極驅(qū)動器IC，適用于 IGBT 、 MOSFET 和 SiC MOSFET 的驅(qū)動。? 其主要特點包括：

英飛凌薄膜SOI技術(shù)

最大阻斷電壓：+650V

輸出拉/灌電流：±4A

最大電源電壓：25 V

集成式超快速、低RDS(ON) 自舉二極管

負VS瞬態(tài)抗擾度：100V

電源過流和欠壓檢測

多功能RCIN/故障/使能 (RFE) 具有可編程故障清除時間

傳播延遲：小于100ns

PG-DSO-8 封裝

根據(jù)JEDEC47/20/22相關(guān)測試，符合工業(yè)應用要求

符合RoHS標準

應用場景

1ED2127S65F適用于多種高功率應用，特別是在需要高壓和高電流驅(qū)動的場合。其集成保護功能和高速響應能力使其在電機控制和驅(qū)動系統(tǒng)中表現(xiàn)出色，能夠提供穩(wěn)定的驅(qū)動性能和較高的系統(tǒng)可靠性。此外，其緊湊的DSO-8封裝和集成自舉二極管的設(shè)計簡化了電路設(shè)計，降低了系統(tǒng)成本?。

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