IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V，15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。

技術(shù)參數(shù)

IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：34 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：45 A

不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，15A

功率 - 最大值：141 W

開關(guān)能量：900μJ（導(dǎo)通），680μJ（關(guān)斷）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：97 nC

25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：16ns/156ns

測(cè)試條件：600V，15A，10 歐姆，15V

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-263-3

應(yīng)用場(chǎng)景

IGB15N120S7適用于需要高電壓、低導(dǎo)通損耗的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制應(yīng)用。

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