STGW10M65DF2器件是一款IGBT，采用先進的專有溝槽柵極場截止結構開發(fā)而成。該器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡，其中低損耗和短路功能至關重要。此外，正VCE(sat)溫度系數(shù)和緊密的參數(shù)分布使并聯(lián)操作更加安全。其技術規(guī)格和應用如下：
技術規(guī)格
IGBT 類型：溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：40 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，10A
功率 - 最大值：115 W
開關能量：120μJ（導通），270μJ（關斷）
輸入類型：標準
柵極電荷：28 nC
25°C 時 Td（開/關）值：19ns/91ns
測試條件：400V，10A，22 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)：96 ns
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247-3
應用領域
STGW10M65DF2的應用領域包括：
電機控制??
不間斷電源（UPS）?
功率因數(shù)校正（PFC）?
通用逆變器??
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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意法半導體（ST）集團于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%；營業(yè)…
VN7050ASTR
VN7050ASTR 采用意法半導體專有的VIPower M0-7技術制造，為單通道高側驅動器，于SO-8封裝中。
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STD10NM60N器件采用第二代MDmesh技術開發(fā)的N溝道功率MOSFET。
L6599ADTR
L6599ADTR是前代L6599的改進版本，專為串聯(lián)諧振半橋拓撲設計的雙端控制器。
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L6205D013TR是一款專為電機控制應用設計的DMOS雙全橋，采用MultiPower-BCD工藝實現(xiàn)，將隔離式DMOS功率晶體管與CMOS及雙極性電路集成于同一芯片。
LIS3DHTR
LIS3DHTR是一款超低功耗高性能三軸線性加速度計，屬于“nano”系列產品，配備數(shù)字I2C/SPI串行接口標準輸出。
M34E02-FMC6TG
M34E02-FMC6TG：2Kbit，I2C總線串行EEPROM存儲器，UFDFPN-8概述：M34E02-FMC6TG 是一款 2-Kbit I2C 兼容型 EEPROM（電可擦除可編程存儲器），結構為 256 8 位。M34E02-FMC6TG 的電源電壓為 1.7 V 至 5.5 V，工作時鐘頻率為 400 kHz（或更低），環(huán)境溫度范圍為 -40 C / +…電話咨詢：86-755-83294757
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