A2T27S020GNR1是2.5 WLDMOS射頻功率晶體管專為頻率范圍為400至2700MHz之間的移動(dòng)通信基站應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

特性

增大負(fù)柵源電壓范圍，改善C類放大器運(yùn)行

專為數(shù)字預(yù)失真糾錯(cuò)系統(tǒng)而設(shè)計(jì)

通用寬帶驅(qū)動(dòng)器

符合RoHS規(guī)范

A2T27S020GNR1產(chǎn)品屬性

制造商:NXP

產(chǎn)品種類: 射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管

晶體管極性: N-Channel

技術(shù): Si

Vds-漏源極擊穿電壓: 65 V

工作頻率: 400 MHz to 2.7 GHz

增益: 21.1 dB

輸出功率: 2.5 W

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

安裝風(fēng)格: Screw Mount

封裝 / 箱體: TO-270G-2

通道數(shù)量: 1 Channel

產(chǎn)品類型: RF MOSFET Transistors

系列: A2T27S020

工廠包裝數(shù)量: 500

子類別: MOSFETs

晶體管類型: LDMOS FET

類型: RF Power MOSFET

Vgs - 柵極-源極電壓: + 10 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V

單位重量:548 mg

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