SCTH60N120G2-7 1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET具有52m?（典型值）和 60A（額定值）特性，采用H2PAK-7封裝。該器件具有出色的開(kāi)關(guān)性能，以及極低的單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)性能指標(biāo)，從而實(shí)現(xiàn)了更高效、更緊湊的系統(tǒng)。應(yīng)用包括開(kāi)關(guān)模式電源、直流/直流轉(zhuǎn)換器和工業(yè)電機(jī)控制。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類(lèi)型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：60A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：52 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：94 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1969 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：390W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類(lèi)型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：H2PAK-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

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