IMBF170R450M1XTMA1 1700V溝槽式碳化硅MOSFET晶體管 TO-263-8

產(chǎn)品屬性：

晶體管極性： N-溝道

通道數(shù)： 1個(gè)通道

Vds - 漏極-源極擊穿電壓：1.7 kV

Id - 連續(xù)漏極電流：9.8 A

Rds On - 漏極-源極電阻： 450 mOhms

Vgs - 柵極源電壓：- 10 V，+ 20 V

Vgs th - 柵極源閾值電壓：4.5 V

Qg - 柵極電荷： 11 nC

最低工作溫度：- 55 C

最高工作溫度： + 175 C

Pd - 功率耗散： 107 W

通道模式： 增強(qiáng)型

下降時(shí)間：24 ns

正向電導(dǎo)率 - 最?。?span style="font-size: 16px; white-space: pre;"> 0.9 S

產(chǎn)品類型： MOSFET

上升時(shí)間: 20 ns

產(chǎn)品介紹

IMBF170R450M1XTMA1是1700V的CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET晶體管，采用TO-263-7封裝。

特點(diǎn)是

極低的開(kāi)關(guān)損耗

與反激式控制器兼容的12 V/0 V柵極源電壓

完全可控的dV/dt，針對(duì)EMI進(jìn)行了優(yōu)化

與具有12 V / 0 V柵極源電壓的反激式控制器兼容

SMD（表面貼裝）封裝，增加了爬電距離和電氣間隙（>7毫米）

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來(lái)源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。