商品名稱:NAND 閃存
品牌:GigaDevice
年份:24+
封裝:48-TSOP
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
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GD9FU1G8F2DMGI是一款容量為1Gb的NAND閃存器件。它可以在每個(gè)頁(yè)面上以典型的tPROG執(zhí)行編程操作,并且可以在每個(gè)塊上以典型的tBERS執(zhí)行擦除操作。頁(yè)面中的數(shù)據(jù)可以以每個(gè)字節(jié)的tRC周期時(shí)間讀出。I/O引腳用作地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入的端口。
GD9FU1G8F2D通過ECC(糾錯(cuò)碼)提供50K編程/擦除周期的擴(kuò)展可靠性。
規(guī)格
存儲(chǔ)器類型:非易失
存儲(chǔ)器格式:閃存
技術(shù):FLASH - NAND(SLC)
存儲(chǔ)容量:1Gb
存儲(chǔ)器組織:128M x 8
存儲(chǔ)器接口:ONFI
寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):12ns,600μs
訪問時(shí)間:9 ns
電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:48-TSOP I
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
MXIC
WSON-8
90000
FLASH - NAND(SLC) 存儲(chǔ)器 IC 2Gb SPI - 四 I/O 104 MHz 8-WSON(8x6)
ISSI
TSOP-48
2000
NAND閃存 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
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兆易創(chuàng)新(GigaDevice Semiconductor Inc.),成立于2005年,是一家專注于各類高速和低功耗存儲(chǔ)器及相關(guān)芯片設(shè)計(jì)、測(cè)試、生產(chǎn)、銷售、技術(shù)保障與服務(wù)一體化的高新技術(shù)企業(yè)。 自成立起短短6年期間,GigaDevice實(shí)現(xiàn)了跳躍式發(fā)展,經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)節(jié)節(jié)攀升,獲得了廣泛的市場(chǎng)好評(píng)和…
GD25B127DSIGR
GD25B127DSIGR SPI NOR閃存為各類應(yīng)用的多樣化設(shè)計(jì)需求提供高性能與安全特性。GD25B127DSIGR規(guī)格參數(shù)存儲(chǔ)容量:128 Mbit供電電壓 - 最低:2.7 V供電電壓 - 最高:3.6 V最大讀取電流:27 mA接口類型:SPI最大時(shí)鐘頻率:104 MHz組織結(jié)構(gòu):16M8數(shù)據(jù)總線寬度:8位最低工作溫度…GD25Q256DYIGR
GD25Q256DYIGR SPI NOR閃存為各類應(yīng)用的多樣化設(shè)計(jì)需求提供高性能與安全特性。GD25Q256DYIGR 規(guī)格參數(shù)存儲(chǔ)器格式 閃存技術(shù) 閃存 - NOR存儲(chǔ)容量 256Mbit存儲(chǔ)器組織 32M x 8存儲(chǔ)器接口 SPI - 四線I/O時(shí)鐘頻率 104 MHz寫入周期時(shí)間 - 字節(jié)/頁(yè) 50s, 2.4…GD32F303RET6
GD32F303RET6是一款高性能的32位微控制器,采用ARM Cortex-M4內(nèi)核,主頻可達(dá)120MHz,支持雙精度浮點(diǎn)運(yùn)算和DSP指令。GD25WD40COIGR
GD25WD40COIGR 是一款 4Mbit NOR Flash 存儲(chǔ)芯片,采用 8 引腳 TSSOP 封裝。GD25D40CTIGR
GD25D40CTIGR 是一款 4Mbit NOR 閃存存儲(chǔ)器,采用 SOP-8 封裝形式。GD32E230C8T6
GD32E230C8T6是一款基于 ARM Cortex-M23 內(nèi)核的 32 位通用微控制器,屬于 GigaDevice(兆易創(chuàng)新)的 GD32E230 系列。電話咨詢:86-755-83294757
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