微控制器MCU STM32U575VGT6 160MHz，帶2M字節(jié)的閃存

產(chǎn)品介紹

STM32U575VGT6器件嵌入了高速存儲(chǔ)器（高達(dá)2 Mbytes的閃存和786 KB的SRAM）、用于靜態(tài)存儲(chǔ)器的FSMC（靈活的外部存儲(chǔ)器控制器）（用于具有90引腳及以上封裝的器件）、兩個(gè)Octo-SPI閃存接口（所有封裝上至少有一個(gè)Quad-SPI）以及連接到三個(gè)APB總線、三個(gè)AHB總線和一個(gè)32位多AHB總線矩陣的大量增強(qiáng)I/O和外設(shè)。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品狀態(tài)：激活

核心處理器：ARM? Cortex?-M33

核心規(guī)模:32位

速度:160MHz

連接性:CANbus, I2C, IrDA, LINbus, MMC/SD/SDIO, SAI, SmartCard, SPDIF, SPI, UART/USART, USB, USB OTG

外設(shè)：欠壓檢測(cè)/復(fù)位，DMA，電機(jī)控制PWM，POR，PWM，WDT

I/O數(shù)量:82

程序存儲(chǔ)器大小:1MB (1M x 8)

程序存儲(chǔ)器類型:FLASH

RAM大小:784K x 8

電壓 - 電源（Vcc/Vdd）：1.71V ~ 3.6V

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D 20x12/14b SAR；D/A 2x12b

振蕩器類型：外部，內(nèi)部

工作溫度:-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：100-LQFP

功能特點(diǎn)

1.71 V至3.6 V電源

-40℃至+85/125℃溫度范圍

低功耗背景自主模式（LPBAM）：帶有DMA的自主外設(shè)，功能低至停止2模式

VBAT模式：為RTC、32 x 32位備份寄存器和2K字節(jié)的備份SRAM供電

160 nA 關(guān)機(jī)模式（24個(gè)喚醒引腳）

210 nA 待機(jī)模式（24個(gè)喚醒引腳）

530 nA 帶有RTC的待機(jī)模式

1.9 μA 帶有16字節(jié)SRAM的停止3模式

4.3 μA 帶全SRAM的停止3模式

4.0 μA 帶有16字節(jié)SRAM的停止2模式

8.95 μA 帶全SRAM的停止2模式

19.5 μA/MHz 運(yùn)行模式 @ 3.3 V

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