CY15V104QN-20BFXI是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的低功耗 4-Mbit 非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或 EXCELON? LP F-RAM 是非易失性存儲(chǔ)器，其讀寫功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲(chǔ)器帶來的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。

與串行閃存和 EEPROM 不同，CY15X104QI 以總線速度執(zhí)行寫入操作。不會(huì)產(chǎn)生寫入延遲。每個(gè)字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷?，?shù)據(jù)立即寫入存儲(chǔ)器陣列。無需數(shù)據(jù)輪詢，即可開始下一個(gè)總線周期。此外，與其他非易失性存儲(chǔ)器相比，該產(chǎn)品具有很強(qiáng)的寫入耐用性。CY15X104QI 能夠支持 1015 次讀寫周期，寫入次數(shù)是 EEPROM 的 1 億倍。

這些功能使 CY15X104QI 成為需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用的理想選擇。例如，在數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中，寫入周期的次數(shù)可能至關(guān)重要；在要求苛刻的工業(yè)控制應(yīng)用中，串行閃存或 EEPROM 較長的寫入時(shí)間可能會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。

CY15V104QN-20BFXI器件參數(shù)：

類別：存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器  

包裝： 托盤  

零件狀態(tài)： 在售  

存儲(chǔ)器類型： 非易失  

存儲(chǔ)器格式： FRAM  

技術(shù)： FRAM（鐵電體 RAM）  

存儲(chǔ)容量： 4Mb  

存儲(chǔ)器組織：512K x 8  

存儲(chǔ)器接口： SPI  

時(shí)鐘頻率： 20 MHz  

訪問時(shí)間： 20 ns  

電壓 - 供電： 1.71V ~ 1.89V  

工作溫度： -40°C ~ 85°C（TA）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼 ：8-UFLGA  

供應(yīng)商器件封裝： 8-UFLGA（3.28x3.23） 

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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