商品名稱:IRFB4020PBF
數(shù)據(jù)手冊:IRFB4020PBF.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-220-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IRFB4020PBF數(shù)字音頻 MOSFET 專為 D 類音頻放大器應(yīng)用而設(shè)計。這款 MOSFET 采用了最新的處理技術(shù),實(shí)現(xiàn)了單位硅面積的低導(dǎo)通電阻。此外,柵極電荷、體二極管反向恢復(fù)和內(nèi)部柵極電阻進(jìn)行了優(yōu)化,以改善關(guān)鍵的 D 類音頻放大器性能效率、總諧波失真(THD)和電磁干擾(EMI)等關(guān)鍵因素。這款 MOSFET 的其他特性包括 175°C 工作溫度和重復(fù)雪崩能力。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):100 毫歐 @ 11A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.9V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):29 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1200 pF @ 50 V
功率耗散(最大值):100W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB
封裝/外殼:TO-220-3
應(yīng)用
● D 類音頻放大器
● 等離子顯示面板 (PDP) 中的維持、能量回收和通路開關(guān)應(yīng)用
● 工業(yè)和消費(fèi)電子產(chǎn)品
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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