通用型IPDQ60R040S7A高電壓功率MOSFET N溝道晶體管

產(chǎn)品介紹

IPDQ60R040S7A是一種高壓功率MOSFET，根據(jù)開創(chuàng)的超級結(jié)（SJ）原理設(shè)計(jì)為靜態(tài)開關(guān)。

規(guī)格

晶體管極性： N-溝道

通道數(shù)： 1個(gè)通道

Vds - 漏極-源極擊穿電壓：600 V

Id - 連續(xù)漏極電流：14 A

Rds On - 漏極-源極電阻： 40 mOhms

Vgs - 柵極源電壓：- 20 C，+ 20 C

Vgs th - 柵極源閾值電壓：4.5 V

Qg - 柵極電荷：83 nC

最低工作溫度：- 40 C

最高工作溫度： + 150 C

Pd - 功率耗散：272 W

通道模式： 增強(qiáng)型

功能特點(diǎn)

針對高端應(yīng)用中的低開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化（斷路器和橋式整流器中的二極管并聯(lián)/替換）。

S7A技術(shù)在最小的占地面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)了最佳的Ros/on）。

開爾文源引腳提高了大電流下的開關(guān)性能。

QDPAK（PG-HDSOP -22-1）封裝符合MSL 1標(biāo)準(zhǔn)，完全無鉛，適用于標(biāo)準(zhǔn)PCB組裝流程。

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