商品名稱:MICROFJ-60035-TSV-TR
數(shù)據(jù)手冊(cè):MICROFJ-60035-TSV-TR.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:36-WBGA
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
MICROFJ-60035-TSV-TR 是采用 TSV 封裝的硅光電倍增管 (SiPM)、高 PDE 和定時(shí)分辨率傳感器。J 系列低照度傳感器采用高容量、P-on-N 硅代工工藝,具有高 PDE(光子檢測(cè)效率)的特點(diǎn)。
產(chǎn)品屬性
波長(zhǎng):420nm
頻譜范圍:200nm ~ 900nm
二極管類型:雪崩
響應(yīng)時(shí)間:250ps
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):24.7 V
電流 - 暗(典型值):7.5μA
有效面積:36.85mm2
工作溫度:-40°C ~ 85°C
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:36-WBGA
產(chǎn)品特性
高密度微電池
快速輸出端子
溫度穩(wěn)定性為 21.5mV/°C
±250mV 擊穿電壓一致性
采用與回流焊兼容的 TSV 芯片級(jí)封裝
典型值為 50kHz/mm2 的超低暗計(jì)數(shù)率
針對(duì) ToF-PET 等高性能定時(shí)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
傳感器尺寸為 3 毫米、4 毫米和 6 毫米
<30V 偏置電壓
在 420nm 波長(zhǎng)處具有 50% 的光子檢測(cè)效率 (PDE)
改進(jìn)的信號(hào)上升時(shí)間和微電池恢復(fù)時(shí)間
無(wú)需主動(dòng)電壓控制
高均勻性
TSV 封裝幾乎無(wú)死角,可創(chuàng)建高填充因子陣列,且不含鐵金屬
應(yīng)用
醫(yī)療成像
危險(xiǎn)和威脅
3D 測(cè)距和傳感
生物光子學(xué)和科學(xué)
高能物理
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ?、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NCP81521MNTXG
NCP81521MNTXG是一款單相同步降壓穩(wěn)壓器,集成功率MOSFET,為VR12嵌入式CPU提供高效率、緊湊型封裝的電源管理解決方案。NCP81521MNTXG特性5V至20V輸入電壓范圍通過(guò)SVID接口調(diào)節(jié)輸出電壓集成柵極驅(qū)動(dòng)器與功率MOSFET500kHz~1.2MHz開(kāi)關(guān)頻率輸入供電電壓與輸出電壓的前饋控制…NCV78902DE0R2G
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NCP402045MNTWG是一款在單一封裝中集成了MOSFET的驅(qū)動(dòng)器,具有高側(cè)MOSFET和低側(cè)MOSFET。該元件優(yōu)化用于大電流直流-直流降壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。NCP402045MNTWG具有快速開(kāi)關(guān)能力、低導(dǎo)通損耗和高集成度,有助于優(yōu)化系統(tǒng)效率,同時(shí)最大限度地減少熱管理問(wèn)題。與分立元件解決方案…NCP81567MNTXG
NCP81567MNTXG是一款雙軌六相加兩相降壓解決方案,針對(duì)Intel IMVP9.2 CPU進(jìn)行了優(yōu)化。多相導(dǎo)軌控制系統(tǒng)基于雙邊緣脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù),并結(jié)合了DCR電流檢測(cè)技術(shù)。這種組合可對(duì)動(dòng)態(tài)負(fù)載事件做出超快的初始響應(yīng),并降低系統(tǒng)成本。NCP81567MNTXG提供超低偏移電流監(jiān)控放大器…NCP81418MNTXG
NCP81418MNTXG是一款高性能保險(xiǎn)絲,設(shè)計(jì)用于服務(wù)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和工業(yè)系統(tǒng)中 12V熱插拔應(yīng)用 。該器件采用0.65mΩ(極低)NMOS FET 和集成熱插拔控制器,全都裝在緊湊的 5mm 5mm LQFN32封裝中。特征高達(dá)80A峰值輸出電流,高達(dá)50A連續(xù)電流VIN工作電壓范圍:5V至18VVIN可達(dá)3…NVBG050N170M1
onsemi 推出的 NVBG050N170M1碳化矽(SiCSiC)MOSFET是1700V M1平面SiC MOSFET系列的一部分,該系列專為快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化。此MOSFET具有最大76mΩ(在20V最大RDS(ON) 、1700V漏極至源極電壓、50A漏極連續(xù)電流和超低柵極充電/電荷(典型 QG(tot) = 107nC)時(shí))。關(guān)鍵特性…電話咨詢:86-755-83294757
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